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行业下行周期加速见底，H2拐点将至。国际存储巨头相继宣布削减资本开支并减产，以减少行业供应，加速修复存储市场供需平衡，我们判断各厂商的减产动作在H2会逐渐显现成效。尽管目前下游应用需求复苏仍不明朗，DRAM和NAND Flash下行周期尚未终止，但随着终端客户和渠道商的库存逐步缓解，存储厂商拒绝再降价出售甚至询单报价频传上涨，定价趋势向好，Q3部分新一代存储产品有望率先迎来上涨。

存储行业激荡六十载，半导体中大宗商品。存储占集成电路1/4以上份额，具有与集成电路较同步但更剧烈的周期性，2021年全球半导体存储器市场中，DRAM占比达56%，NAND Flash约占41%。目前DRAM和NAND Flash均呈现海外玩家寡头垄断的格局，我国大部分厂商还是与国际龙头进行错位竞争，聚焦利基型市场；我国NOR Flash芯片技术基本成熟，例如兆易创新的NOR Flash在全球已经取得前三市占率。

AI & 汽车电子发轫，新应用激发新动能。存储的下游应用过去以手机、PC和服务器为主，以手机、PC为例的消费电子自去年以来需求持续低迷，至今复苏需求仍不明朗，而人工智能和汽车电子作为新兴应用方兴未艾，激发大量增量需求。在年初现象级AIGC应用ChatGPT出圈后，全球科技巨头争相在AI领域发力，将刺激更多配套的存储器用量。另一方面，随着新能源汽车发展与汽车智能化不断演进，汽车有望成长为新一代的智能终端，或将复制手机、PC的发展路径，依赖于存储空间的提升来支持ADAS、高精度地图、事故记录、娱乐等功能的突破。

存力升级大势所趋，新兴存储技术应运而生。 随着近几年云计算和人工智能应用的发展，面对计算中心的数据洪流，处理器、内存发展速度不均衡，数据搬运慢、搬运能耗大等问题成为了计算的关键瓶颈。在此背景下，存算一体、HBM、CXL等新兴存储技术路径备受关注，尤其是HBM已经成为高端AI服务器标配，TrendForce预估2023年全球HBM需求量将年增近六成，来到2.9亿GB，2024年将再成长三成。

建议关注：

（1）存储芯片厂商：兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份等；（2）存储模组厂商：江波龙、朗科科技等；（3）存算一体相关标的：兆易创新、东芯股份、恒烁股份等；（4）CXL产业链相关标的：澜起科技、聚辰股份；（5）HBM产业链相关标的：华海诚科、雅克科技、香农芯创、深科技等。

风险提示：下游终端需求不及预期风险、行业竞争加剧风险、技术研发不及预期风险、美国科技制裁风险等。

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